BC857BW,115 دیتاشیت

BC857BW,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC857BW,115
حجم فایل 39.687 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت BC857BW,115

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia BC857BW,115
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 220@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-323(SC-70)
  • Manufacturer: Nexperia